电学性质
常温下工业碳化硅是一种半导体,碳化硅规格齐全,属杂质导电性。高纯度碳化硅随着温度的升高电阻率下降,含杂质碳化硅根据其含杂质不同,碳化硅生产厂家,导电性能也不同。碳化硅的另一电性质是电致发光性,现已研制出实用器件。
电学性质
常温下工业碳化硅是一种半导体,属杂质导电性。高纯度碳化硅随着温度的升高电阻率下降,含杂质碳化硅根据其含杂质不同,导电性能也不同。碳化硅的另一电性质是电致发光性,现已研制出实用器件。
物理机械性能
密度:各种碳化硅晶形的颗粒密度十分接近,一般认为是3.20克/毫米3,其碳化硅磨料的自然堆积密度在1.2--1.6克/毫米3之间,其高低取决于粒度号、粒度组成和颗粒形状。
硬度:碳化硅的莫氏硬度为9.2,威氏显微密硬度为3000--3300公斤/毫米2,努普硬度为2670—2815公斤/毫米,在磨料中高于刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。
一般情况下,碳化硅在高温氧化气氛下的不稳定性是十分---的,碳化硅,然而它却可以在1600℃的氧化气氛中长期使用。
碳化硅材料一般在空气中加热到1000-1300℃时,碳化硅主要用途,它仅稍微氧化,生成了sio2玻璃保护层。1300℃时保护层中开始结晶出方石英,相变引起了开裂,从而氧化速度有所增加。在1500-1600℃时,因二氧化硅保护层达到了一定的厚度,进一步的氧化作用停止了。 当达到1627℃以上时,就此发生了2sio2+sic=3sio+co。
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